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砷化鎵是一種化合物半導體材料,分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構,即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的復式晶格,其晶格常數是5.6419A。室溫下禁帶寬度1.428eV,是直接帶隙半導體,熔點1238℃,質量密...
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鍺在漢字中雖然是“金”字旁,但它是一種稀有準金屬,通俗點講就是,它的性質是一半石頭、一半金屬,能被用作半導體。鍺同碳、硅、錫、鉛同屬于碳族,最外層有4個電子。它的化學符號是Ge,原子序數是32。鍺最早于188...
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